檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="離子束濺鍍"
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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上,在室溫狀態下,分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離,來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加,氧氣的低濺…
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本實驗設計並製造一種利用陽極層離子源的離子束濺鍍模組。此模組將一倒置的環形陽極層離子源與濺鍍靶材做結合,以減少所需的真空腔體。利用此離子束濺鍍模組將氧化銀沉積在石英基板上。研究結果顯示,銀僅在氧氣分…
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使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜已成功的被製作。本論文將使用反應氣體氧氣參與離子束濺鍍Mg0.1Zn0.9金屬靶材,以(111)矽基板溫度360、400及500℃成長氧化鋅鎂薄膜MgxZn1-…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化銀,藉由調變不同離子束能量、沉積溫度及氧氣分壓(Opf)來沉積氧化銀薄膜,之後再將鋁摻入薄膜觀察其變化。XRD分析在陽極電壓700 V下沉積,在Opf = 100…